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IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10 1
Top
V GS
15 V
10 V
10 1
25 ° C
10 0
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
10 0
175 ° C
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
10 -1
20 μs Pulse Width
V DS = 50 V
10 -1
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91016_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
91016_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 1
Top
V GS
15 V
10 V
3.0
2.5
I D = 5.6 A
V GS = 10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
2.0
10 0
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
1.5
1.0
20 μs Pulse Width
0.5
10 -1
10 0
T C = 175 °C
10 1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
91016_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91016_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 175 °C
Document Number: 91016
S11-1044-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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